美国宣布取消三星、SK海力士对中国的芯片设备供应豁免
美国政府已采取行动，拆除全球半导体产业中最后几根关键的支柱之一。特朗普政府周五宣布，将撤销韩国三星电子（Samsung Electronics Co.）和SK海力士（SK Hynix Inc.）向其在华工厂出口美国先进芯片制造设备和技术的豁免权。此举被视为中美
海力士
三星、SK海力士，被撤销豁免
近日，美国正在加大对芯片制造商三星以及 SK 海力士的制裁力度。据《联邦公报》报道，美国政府通过撤销允许这些公司在中国接收美国半导体制造设备的授权，阻止它们在中国生产芯片。
韩媒：几乎所有半导体技术，中国全面超过韩国，成全球第2了
但是，三年之后，KISTEP的调查结果完全变了，最近KISTEP发布了一份关于半导体产业的报告，报告显示，目前中国在半导体技术上，排名全球第二， 仅落后于美国，中国几乎在所有的半导体技术上，都超过了韩国，包括存储芯片、先进封装技术等。
美国商务部：撤销英特尔、三星、SK海力士对华芯片设备出口豁免权
美国商务部工业与安全局（BIS）修订《出口管理条例》（EAR），通过删除英特尔半导体（大连）有限公司、三星中国半导体有限公司以及SK海力士半导体（中国）有限公司，对中华人民共和国（PRC）现有经验证最终用户（VEU）授权名单进行移除。
台积电2纳米泄密案有新进展；追觅科技官宣造车；SK海力士供应业界首款高效散热移动DRAM | 新闻速递
台积电2纳米泄密案有新进展中芯国际2025上半年净利润3.2亿美元，同比增长35.6%追觅科技官宣造车消息称LG劝说苹果在未来iPhone中采用iPad Pro双层串联OLED技术SK海力士供应业界首款高效散热移动DRAM因泄露韩国约一半人口的数据，SK电信被
SK海力士推出High-K环氧模塑料移动DRAM，热导率提升3.5倍
2025年8月27日，SK海力士宣布已开始向客户供应采用High-K环氧模塑料的移动DRAM产品。这是业界首款采用该创新材料的高效散热DRAM，标志着移动存储技术的重要突破。
二季度NAND营收大增22%，SK系市占率跃升至21%
TrendForce最新调查显示，2025年第二季度，尽管平均售价略有下降，但NAND Flash行业仍保持稳健增长。供应商减产缓解了供需失衡，而中美两国的扶持政策也刺激了需求。整体而言，位元出货量大幅增长，带动前五大供应商合并营收环比增长22%，达到146.
SK海力士推出业界首款基于High-K EMC材料的高效散热移动DRAM
据介绍，EMC（环氧模封料，Epoxy Molding Compound）用于密封保护半导体免受湿气、热气、冲击和静电等外部环境影响，并起到散热通道作用的半导体后工艺中必要材料。High-K EMC是指在EMC中使用热导系数（K值）更高的材料，从而提高热导率（
2025Q2前五大NAND闪存厂合计营收季增22%，减产策略缓解供需失衡
TrendForce发布了最新研究报告，显示2025年第二季度NAND闪存供应商在面临平均销售价格（ASP）小幅下滑的情况下，通过减产策略缓解供需失衡，加上中美两大市场政策推动，整体出货位元大幅成长，前五大NAND闪存厂合计营收环比增长22%，达146.7亿美
集邦：2025Q2 NAND 五巨头相关营收环比增长 22%，ASP 小幅下滑
TrendForce 集邦咨询今日表示，2025 年第二季度 NAND 闪存产业整体呈现价跌量升的态势：ASP 平均销售价格小幅下滑，但供需平衡的改善和中美市场政策推动按比特容量计的出货规模大幅成长。
SK海力士开始供应高热效移动DRAM产品，以解决智能手机过热问题
SK海力士公司周四表示，已开始供应高效散热的移动动态随机存取存储器（DRAM）产品，以应对人工智能（AI）设备的耗电量日益增加的问题。
SK海力士开始供应业界首款采用新材料的高效散热移动DRAM
据IT之家了解，EMC（环氧模封料，Epoxy Molding Compound）用于密封保护半导体免受湿气、热气、冲击和静电等外部环境影响，并起到散热通道作用的半导体后工艺中必要材料。High-K EMC 是指在 EMC 中使用热导系数（K 值）更高的材料，
海力士宣布量产321层QLC NAND，读取性能提升18%，写入性能提升56%
2025年8月25日，韩国半导体巨头SK海力士宣布，该公司现已成功完成321层2Tb（太字节）QLC NAND闪存的研发，并正式启动量产。这一里程碑式成果标志着全球首次在QLC闪存技术中实现300层以上的3D堆叠，创下闪存存储密度的新纪录。
SK海力士已开始量产321层QLC NAND闪存产品
这款全新的2Tb存储器件将现有解决方案的容量提升一倍，增强了SK海力士在内存市场的竞争力。该产品预计将于明年上半年正式推出。
芯片出口严重下滑！离开中国市场，韩国芯片就得成摆设品
先说说背景，韩国半导体产业全球有名，三星和SK海力士两大巨头扛大旗。2024年，韩国芯片出口总额飙到1419亿美元，同比涨43.9%，创历史新高。
全球首次！SK海力士官宣量产321层QLC NAND闪存
为解决大容量NAND可能出现的性能下降问题，公司还将芯片内独立操作单元（平面）的数量从4个增加到6个，从而实现更大的并行处理能力，明显提升了同时读取性能。
SK海力士量产321层2Tb QLC NAND闪存，将首先用于PC SSD产品
SK海力士表示：“在全球范围内率先完成300层以上的QLC NAND闪存开发，再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，经过全球客户公司的验证后，计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。”
SK海力士宣布已开始量产321层QLC NAND闪存
据悉，为了最大限度地提高此次产品的成本竞争力，SK海力士将其开发为与现有产品相比容量翻倍的2Tb产品。同时，通过将NAND闪存内部可独立运行的平面（Plane）架构从四平面扩展为六平面，从而提升了并行处理能力，缓解了因大容量导致的性能下降问题。
AI芯天下丨SK海力士宣布已开始量产321层QLC NAND闪存
SK海力士表示：“公司全球率先完成300层以上的QLC NAND闪存开发，再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，经过全球客户公司的验证后，计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。”
SK海力士宣布321层2Tb QLC NAND量产
SK海力士表示：“公司全球率先完成300层以上的QLC NAND闪存开发，再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，经过全球客户公司的验证后，计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。”